Tranzistor cu efect de câmp
Nov 05, 2019| Încărcați-vă în siguranță cu SChitec
Tranzistor cu efect de câmp
Semnificația „efectului de câmp” este că principiul de funcționare al acestui tranzistor se bazează pe efectul câmpului electric al semiconductorului.
Tranzistor cu efect de câmp Un tranzistor care funcționează pe principiul efectului de câmp. Tranzistoarele cu efect de câmp conțin, la rândul lor, două tipuri principale: FET-uri de joncțiune (JFET) și FET-uri cu semiconductor cu oxid de metal (MOS-FET). Spre deosebire de BJT, FET-urile sunt conductoare electric doar de un tip de purtător (purtători majoritari) și, prin urmare, sunt denumite și tranzistori unipolari. Aparține unui dispozitiv semiconductor controlat de tensiune și are avantajele unei rezistențe mari de intrare, zgomot redus, consum redus de energie, gamă dinamică mare, integrare ușoară, fără defecțiuni secundare și zonă de lucru largă și sigură.
Efectul de câmp este de a schimba direcția sau mărimea câmpului electric aplicat perpendicular pe suprafața semiconductorului pentru a controla densitatea sau tipul de purtători majoritari în stratul conductor semiconductor (canal). Este un curent modulat în tensiune în canal al cărui curent de funcționare este transportat de purtătorii majoritari în semiconductor. Un astfel de tranzistor în care un singur tip de purtător polar participă la conducere este numit și un tranzistor unipolar. În comparație cu tranzistoarele bipolare, tranzistoarele cu efect de câmp au caracteristicile unei impedanțe de intrare ridicate, zgomot scăzut, frecvență limită înaltă, consum redus de energie, proces de fabricație simplu și caracteristici bune de temperatură. Ele sunt utilizate pe scară largă în diferite circuite amplificatoare, circuite digitale și circuite cu microunde. Aștepta. Tranzistoarele cu efect de câmp oxid-semiconductor 0-pe bază de siliciu (MOSFET) și tranzistoarele cu efect de câmp cu barieră Schottky pe bază de arseniu de galiu (MESFET) sunt cele mai importante două tranzistoare cu efect de câmp. Acestea sunt dispozitivele de bază ale circuitelor integrate de viteză ultra-înaltă MOS LSI și MES.


