Pregătirea procesului de circuit integrat bipolar

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd(SCHitec) este o întreprindere de înaltă tehnologie specializată în producția și vânzarea de accesorii pentru telefon. Produsele noastre principale includ încărcătoare de călătorie, încărcătoare de mașină, cabluri USB, bănci de alimentare și alte produse digitale. Toate produsele sunt sigure și de încredere, cu stiluri unice. Produsele trec certificate precum CE, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick, etc. , Dacă sunteți interesat, puteți contacta direct ceo@schitec.com.

Încărcați-vă în siguranță cu SChitec

Pregătirea procesului de circuit integrat bipolar

Figura arată fluxul procesului de pregătire a unui invertor de circuit integrat bipolar folosind tehnologia de izolare a joncțiunii PN.

Figura include un tranzistor NPN și un rezistor de sarcină R. Materialul original este o tijă de siliciu monocristal cu un diametru de 75-150 mm dopată cu impurități de tip P și rezistivitatea ρ=10 ohm · cm sau așa. Fluxul procesului este: mai întâi, tăiați, măcinați și lustruiți (este un proces de preparare a plachetelor) pentru a pregăti o placă circulară de siliciu cu o grosime de aproximativ 300 până la 500 de microni ca substrat și apoi efectuați creșterea epitaxială, oxidarea, fotolitografia, difuzia , Evaporare, lipire prin presiune și curățare a plachetelor multiple și, în final, pasivizarea suprafeței și ambalarea finită.

Fabricarea unui cip de circuit integrat bipolar necesită de 5 ori de oxidare, de 5 ori de fotolitografie pe un strat subțire de oxid de siliciu (SiO2) și este gravată o fereastră de model pentru dopajul prin difuzie. În cele din urmă, după două fotolitografii, cablurile de interconectare metal-aluminiu și fereastra de pasivare pentru lipirea prin presiune sunt gravate. Prin urmare, există 7 măști pentru întregul set de circuite integrate bipolare. Chiar dacă procesul de pasivare este de obicei omis, sunt necesari 6 pași de fotolitografie și sunt necesare 6 măști.