Timpul platoului Miller este aproape zero (a se vedea figura 3) și pierderea totală de comutare este redusă cu cel puțin 70%
Oct 19, 2022| Timpul platoului Miller este aproape zero (a se vedea figura 3) și pierderea totală de comutare este redusă cu cel puțin 70%
După cum se arată în Tabelul 1, cu același RDS(ON), nitrura de galiu are o capacitate parazită mai mică, iar Ciss și Crss sunt 1/12 și, respectiv, 1/23 din Si CoolMOS, rezultând o viteză de comutare mai mare. În brațul de punte rapidă BTPPFC, timpul de suprapunere a curentului și tensiunii scade cu mai mult de 88% (vezi Figura 2). Timpul platoului Miller este aproape zero (vezi Figura 3) și pierderea totală de comutare este redusă cu cel puțin 70%.
Cosul lui InnoGaN este mai mic și are o liniaritate mai bună (vezi Figura 4). Când Vds este scăzut, Cos-ul GaN este mult mai mic decât cel al Si MOS și Si va avea un proces de mutație a pantei. Din forma de undă a sistemului se poate observa că pierderea de suprapunere de comutare a GaN este mult mai mică decât cea a Si MOS, iar Dv/dt a GaN în segmentul t2-t3 este mai mică decât cea a Si MOS, deci Zgomotul EMI generat este, de asemenea, mai mic.
