Ce este tehnologia GAN pentru încărcătoare?
Dec 15, 2021| Să-l puneți pur și simplu,un corp mic cu putere mare.
Încărcătoarele cu nitrură de galiu (GaN) au făcut o mare explozie la Salonul Internațional de Electronică de Consum, iar această alternativă modernă de siliciu înseamnă că apar încărcătoare și surse de alimentare mai mici și mai eficiente.
Încărcătoarele GaN sunt fizic mai mici decât încărcătoarele actuale, deoarece încărcătoarele GaN nu necesită mai puține componente decât încărcătoarele cu silicon. Acest material poate conduce tensiuni mult mai mari decât siliciul în timp. Încărcătoarele GaN nu numai că sunt mai eficiente în transferul curentului, dar înseamnă și mai puțină energie pierdută prin căldură. Prin urmare, atunci când componentele sunt mai eficiente în transferul de energie către dispozitiv, de obicei sunt necesare mai puține componente. Ca rezultat, odată cu popularitatea pe scară largă a tehnologiei, sursele de alimentare și încărcătoarele GaN vor fi reduse semnificativ. Există și alte beneficii, cum ar fi o frecvență de comutare mai mare care poate realiza o transmisie mai rapidă a puterii fără fir.
Nitrura de galiu este un material semiconductor care a devenit centrul atenției în anii 1990 prin fabricarea LED-urilor. GaN a fost folosit pentru a crea primele LED-uri albe, lasere albastre și afișaje LED color care pot fi văzute în timpul zilei. În playerele Blu-ray DVD, GaN produce lumină albastră, care citește datele de pe DVD.
Se pare că GaN va înlocui în curând siliciul în multe zone. Producătorii de siliciu au lucrat neobosit de zeci de ani pentru a îmbunătăți tranzistoarele pe bază de siliciu. Conform legii lui Moore, numărul de tranzistori din circuitele integrate de siliciu se dublează aproximativ la fiecare doi ani. Această observație a fost făcută în 1965 și a fost practic corectă în ultimii 50 de ani. Cu toate acestea, în 2010, dezvoltarea tehnologiei semiconductoare a scăzut sub această viteză pentru prima dată. Mulți analiști (și însuși Moore) prevăd că până în 2025, Legea lui Moore va fi învechită.
Producția de tranzistori GaN a crescut în 2006. Procesul de fabricație îmbunătățit înseamnă că tranzistoarele GaN pot fi fabricate în același tip de echipament ca siliciul. Acest lucru poate reduce costurile și poate încuraja mai mulți producători de siliciu să folosească GaN pentru a produce tranzistori.